No Image

Транзистор mje13009 параметры и его российские аналоги

СОДЕРЖАНИЕ
0 просмотров
10 марта 2020

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Высказывания:
Как бы ни был хорош ваш план, все равно в корне он неправилен.

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор MJE13009
транзистором 2SC2335;

транзистором 2SC3346;
транзистором 2SC3306;
транзистором 2SC2898;
транзистором 2SC3257;
транзистором BUL74A;
транзистором BUW72;
транзистором 2SC3346;
транзистором 2SC3306;
транзистором 2SC2898;
транзистором 2SC3257;

Коллективный разум.

дата записи: 2015-02-14 22:21:29

дата записи: 2016-02-23 16:11:18

дата записи: 2016-02-23 16:13:10

дата записи: 2016-10-12 13:39:27

MJE13005 – функциональный аналог;
дата записи: 2017-11-01 08:40:54

2SC3040 – функциональный аналог;
дата записи: 2018-07-06 22:01:53

Добавить аналог транзистора MJE13009.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора MJE13009? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления моторами и работы релейных модулей.

Распиновка

Распространены в пластмассовом корпусе для силовых транзисторов ТО-220 и различных его модификациях (ТО-220AB, TO-220-3), или более мощных TO-3PN, ТО-225, ТО-247. Считается, что современный TO-3PN лучше отводит тепло при нагреве устройства и действительно в большинстве случаев именно он встречаются в мощных блоках питания (1 КВт и больше). Цоколевка 13009 у большинства производителей одинаковая, если смотреть на транзистор спереди, то его выводы слева на право такие:

Технические характеристики транзистора MJE13009

При температуре окружающей среды +25 °C, если не указано иного, имеет такие параметры:

  • биполярный транзистор;
  • корпус ТО-220, ТО-3PN;
  • материал корпуса – пластик;
  • кристалл — кремний (Si);

напряжение насыщения между коллектором и эмиттером UКЭ нас. (VBE sat):

напряжение насыщения между базой и эммитером UБЭ нас. (VBE sat):

коммутационные характеристики (при UКЭ =120 В, IK =8 A, IБ вкл=1.6А, IБ выкл.= -1.6А):

  • время задержки tзад (td) = 0.1 мкс (µs);
  • время включения tвкл (ton) = 1.1 мкс (µs);
  • время спада tсп (tf) = 0.7 мкс (µs);
  • время рассасывания tРАС (ts) = 3 мкс (µs);
  • Тепловое сопротивление перехода кристалла к корпусу RθJC = 1.26 °C/W (°C/Вт);
  • Тепловое сопротивление корпуса к окружающей среде RθCA= 62.5 °C/W (°C/Вт);
  • Общее тепловое сопротивление RθJA= 100 °C/W (°C/Вт);
  • Tперехода (Tj) ≤ + 150 °C;
  • Tхран.(Tstr) от — 65 до + 150 °C;
  • Tраб.(Tamb) от — 65 до + 150 °C;
  • Tпайки (TL) до 275 °C.

Символ Rθ используется в технической литературе для обозначения теплового сопротивления радоэлементов.

коэффициент усиления по току у транзистора 13009 находится в пределах от 8 до 40 Hfe.

Параметры 13009 у различных производителей незначительно отличаются.

Комплементарная пара

Комплементарная пара отсутствует.

Маркировка

Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе.

Более именитые из производители, вместо MJE, указывают в начале маркировки первые буквы из названия своих компаний: ST13009 (ST Microelectronics), J13009,FJP13009 (Fairchild), PHE13009 (WeEn Semiconductors).

Замена и эквиваленты

Для 13009 можно подобрать замену из зарубежных транзисторов похожих по своим характеристикам: D209L, 2SC2335, BUT12A, BUJ106A или отечественного КТ8138И, КТ8209А, КТ8260А. Они немного отличаются характеристиками от рассматриваемого в статье устройства, поэтому перед заменой стоит ознакомится с их техническим описанием и выбрать наиболее подходящий для замены. Полными аналогами 13009, но с немного заниженными характеристиками являются mje13005, mje13007, mje13008. Они чаще всего встречаются в корпусе ТО-220.

Особенности

13009, по своим характеристикам, является силовым транзистором, который сильно греется при работе. Поэтому он выпускается в корпусе, обеспечивающим тепловой контакт между его металлической поверхностью и внешним радиатором. Металлическая поверхность устройства связана электрически с коллектором.

Безопасность при эксплуатации

Максимальное рабочее напряжение, которое может выдержать транзистор (UКЭ) должно быть не более 400 В, при IК = 10 мA. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер (UКЭВ) при запирающем напряжении в цепи база-эммитер (UБЭ) не должно быть больше 700 В.

Соблюдайте тепловые параметры при работе устройства. Установка транзистора на радиатор является одним из необходимых условий его правильной работы. Не допускайте сильного увеличения постоянной мощности рассеивания Ptod. При превышении максимально допустимой мощности рассеивания (более 100 Вт) транзистор перегреется и выйдет из строя. Рабочая температура устройства не должна превышать максимально допустимую — 150 °C. Хранение и эксплуатация устройства должна находится в пределах от -55 до +150 °C.

Производители

Выберите производителя, чтобы ознакомится с его DataSheet на 13009:

Биполярный транзистор MJE13009 – описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: MJE13009

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 160 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8

Корпус транзистора: TO220

MJE13009 Datasheet (PDF)

MJE13009X8(BR3DD13009X8F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-220F 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package. 特征 / Features 耐压高,开关速度快。 High voltage capability, high speed switching. 用途 / Applications 主要用于节能灯电路。 High frequency electronic lighting ballast applications.

MJE13009X7(BR3DD13009X7R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-220 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. 特征 / Features 耐压高,开关速度快。 High voltage capability, high speed switching. 用途 / Applications 节能灯电路。 High frequency electronic lighting ballast applications . 内部等效

MJE13009Z9(3DD13009Z9) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途: 节能灯电路。 Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 700 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 12 A C P (Ta=25℃) 2.0 W C P (Tc=25℃) 100 W C T 150 ℃ j

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors MJE13009 DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·High voltage ,high speed APPLICATIONS ·Particularly suited for 115V and 220V switchmode applications such as switching regulators,inverters ,motor controls,solenoid/ relay drivers and deflection circuits PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;con

MJE13009X9(BR3DD13009X9P) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-3P 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN Transistor in a TO-3P Plastic Package. 特征 / Features 快速转换。 High Speed Switching 用途 / Applications 节能灯电路。 High frequency electronic lighting ballast applications. 内部等效电路 / Equivalent Circuit 引脚排列

MJE13009Z8(BR3DD13009Z8F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-220F 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package. 特征 / Features 耐压高,开关速度快。 High voltage capability, high speed switching. 用途 / Applications 节能灯电路。 High frequency electronic lighting ballast applications. 内部等�

1.7. mje13009g.pdf Size:448K _update

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13009 NPN SILICON TRANSISTOR SWITCHMODE SERIES NPN SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The MJE13009 is designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220V switch mode applications such as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls, Solenoid

MJE13009Z7(3DD13009Z7) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途: 节能灯电路。 Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit V 700 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 12 A C P (Ta=25℃) 2.0 W C P (Tc=25℃) 100 W C T 150 ℃ j

1.9. mje13009.pdf Size:451K _motorola

Order this document MOTOROLA by MJE13009/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA MJE13009* *Motorola Preferred Device Designer’s? Data Sheet 12 AMPERE SWITCHMODE Series NPN SILICON POWER TRANSISTOR NPN Silicon Power Transistors 400 VOLTS The MJE13009 is designed for high�voltage, high�speed power switching inductive 100 WATTS circuits where fall time is critical. They are particularly suited

MJE13009 SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE DESCRIPTION The MJE13009 is a multiepitaxial mesa NPN transistor. It is mounted in Jedec TO-220 plastic package, intended for use in motor controls, switching regulators, deflection circuits, etc. 3 2 1 TO-220 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCEO Collector-Emitt

1.11. mje13009-d.pdf Size:189K _onsemi

MJE13009G SWITCHMODEt Series NPN Silicon Power Transistors The MJE13009G is designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are http://onsemi.com particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE applications such as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls, 12 AMPERE Solenoid/Relay drivers and Deflection circuits. NPN SILI

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13009D NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC MJE13009D is a high voltage fast-switching NPN power transistor. It is characterized by high breakdown voltage, high current capability, high switching speed and high reliability. The UTC MJE13009D is intended to be used in a energy-saving lights

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13009 NPN SILICON TRANSISTOR SWITCHMODE SERIES NPN SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The MJE13009 is designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220V switch mode applications such as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls, Solenoid/Re

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13009-K NPN SILICON TRANSISTOR SWITCHMODE SERIES NPN SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The MJE13009-K is designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220V switch mode applications such as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls, Solenoi

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13009-P NPN SILICON TRANSISTOR SWITCHMODE SERIES NPN SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The MJE13009-P is designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220V switch mode applications such as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls, Solenoi

SEMICONDUCTOR MJE13009 TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR SWITCHING REGULATOR APPLICATION. HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATION. HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATION. FEATURES Excellent Switching Times : ton=1.1 S(Max.), tf=0.7 S(Max.), at IC=8A High Collector Voltage : VCBO=700V. MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT VCBO Collector-Base Voltage 700 V

SEMICONDUCTOR MJE13009F TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR SWITCHING REGULATOR APPLICATION. HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATION. HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATION. FEATURES Excellent Switching Times : ton=1.1 S(Max.), tf=0.7 S(Max.), at IC=8A High Collector Voltage : VCBO=700V. MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT VCBO Collector-Base Voltage 700 V

1.18. mje13009.pdf Size:157K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION Ў¤ With TO-220C package Ў¤ High voltage ,high speed APPLICATIONS Ў¤ Particularly suited for 115V and 220V switchmode applications such as switching regulators,inverters ,motor controls,solenoid/ relay drivers and deflection circuits PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;connected to mounting base Emitte

1.19. mje13009f.pdf Size:143K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor MJE13009F DESCRIPTION ·Collector–Emitter Sustaining Voltage : VCEO(SUS) = 400V(Min.) ·Collector Saturation Voltage : VCE(sat) = 1.5 (Max) @ IC= 8.0A ·Switching Time : tf= 0.7?s(Max.)@ IC= 8.0A APPLICATIONS ·Designed for use in high-voltage, high-speed, power swit- ching in inductive circuit

Spec. No. : HE200206 HI-SINCERITY Issued Date : 2002.02.01 Revised Date : 2006.07.04 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/6 HMJE13009A 12 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR Description The HMJE13009A is designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220V switch-controls, Solenoid/Relay driver

1.21. mje13009a 1.pdf Size:207K _sisemi

深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书 Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification NPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13009A NPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13009A NPN MJE 系列

1.22. mje13009.pdf Size:206K _sisemi

深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书 Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification NPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13009 NPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13009 NPN MJE 系列�

1.23. mje13009a.pdf Size:252K _sisemi

深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书 Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification NPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13009A NPN MJE /MJE SERIES TRANSISTORS MJE13009A NPN MJE 系列

1.24. mje13009zj.pdf Size:450K _blue-rocket-elect

MJE13009ZJ(BR3DD13009ZJ) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-220S 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-220S Plastic Package. 特征 / Features 高电压,大电流。 High VCEO High IC. , 用途 / Applications 用于高频电子照明电路。 High frequency electronic lighting ballast applications. 内部等效电路 / Equ

Комментировать
0 просмотров
Комментариев нет, будьте первым кто его оставит

Это интересно
No Image Строительство
0 комментариев
No Image Строительство
0 комментариев
No Image Строительство
0 комментариев
No Image Строительство
0 комментариев
Adblock detector